北京 天津 河北 山西 内蒙古 辽宁 吉林 黑龙江 上海 江苏 浙江 安徽 福建 江西 山东 河南 湖北 湖南 广东 广西 海南 重庆 四川 贵州 云南 西藏 陕西 甘肃 青海 宁夏 新疆 台湾 香港 澳门
您现在的位置> 首页> 广东省> 中山人物

郑耀宗

[中国科学院院士]

郑耀宗为[中国科学院院士]

  
郑耀宗
  郑耀宗,微电子学专家。1939年2月9日生于香港,籍贯广东中山。1963年毕业于香港大学,获理学士学位。1967年获加拿大卑诗大学博士学位。曾任香港大学校长。1999年当选为中国科学院院士。
  长期以来对金属-氧化硅-硅(MOS)系统及其器件物理和工艺技术进行了系统研究。发明了掺氯化氢硅氧化技术,解决了当时MOS器件和集成电路阈值电压漂移、不能稳定工作的难题,使MOS器件和电路的性能、可靠性和成品率大大提高。在国际上首先提出了MOS反型层载流子表面粗糙度散射理论,在MOS集成电路进入深亚微米阶段后,这一机理已成为决定MOS反型层载流子迁移率的主要因素,这是对MOS器件物理的一大发展。是较早开展氮化硅技术的研究者之一。在深亚微米器件模型研究工作中取得重要成果。
  
  三乡镇    三乡镇位于市境南部,毗邻珠海市,面积93平方公里,辖12个村民委员会和2个居民委员会,户籍人口3.7万人,非户籍人口12.1万人。2006年,落实科学发展观,以构建“两个适宜”和谐三乡为目标,加快经济增长方式的转变,经济、社会事业稳健发展。实现生产总值44.02亿元,比上年增长11.11%;工农业总产值106.97亿元,增长17.24%;三次产业比例为1.…… 详细++