李同保

李同保为[中国工程院院士·信息与电子工程学部]

　　李同保1942年10月生，男，汉族，河南省温县祥云镇李肇村人。大学文化，1963年参加工作。历任助理研究员、副研究员、研究员；研究室主任、副院长，院长；中国计量测试学会副理事长、光辐射专业委员会主任委员；中国计量测试领域知名专家，首批中国工程院院士。现任同济大学教授、博士生导师，目前从事光辐射测量及声光技术研究。
　　李同保出生时因家乡正逢大灾之年，无力抚养，出生6个月之后在河南省荥阳县须水镇（现属郑州市郊区）伯父家被哺育长大。1947～1953年，在荥阳县须水镇高级小学读书，1953～1956年，在荥阳县第一初级中学（天王寺中学）读书，毕业后考入当时开封地区行署所在地的省立荥阳高级中学学习。1959～1963年，在同济大学数理力学系应用物理专业读书。在大学里，对知识的执著追求使他勤勤恳恳地学习，努力完成自己的学业，为以后的工作打下扎实的基础。毕业后被分配到北京中国计量科学研究院光学研究室工作。这期间他参加研制了2000K-2854K色温临时工作标准，满足了光度、色度以及光探测器积分灵敏度标定方面的急需。7年之后，由于"三线"建设需要，1970年2月，李同保和同事们一起到四川大邑县的一个山沟里，开始建设新的实验基地，即中国计量科学研究院分院。一箱一箱的仪器设备都是人抬肩扛搬运到位于半山腰的实验室。客观环境的变化并没有影响他对科研的热情。在那个"打倒一切"闹哄哄的年代里，他没有浪费时光，始终如一地学习外语和专业知识，继续关注国际国内最新的科学技术情报资料，攻克一道道难题。在研制微光测试标准工作中，提出一种测量极低透过率（百万分之几）的新方法，使得能以5％的不确定度测量10-6Lx水平的微光照度，满足了当时夜视微光器件、放射萤光材料等国防科研生产的急需；研制了我国第一台高精密度数字式照度计，该仪器在V（λ）函数修正、余弦特性校准、直线性校准、准确度及长期稳定性等方面都达到当时国际上同类仪器的水平。在建立500K-1000K全辐照标准工作中，改进了辐射腔测温结构和测量程序，显著地提高了黑体辐射器的品质，为我国红外制导和红外武器系统的科研生产提供了检测的技术基础。
　　1975年12月，正当他在翻阅新的一期日文原版期刊（电综研新闻）时，一则让人兴奋的消息跃入眼帘：在1975年9月的国际光辐射咨询委员会（CCPR）会议上原则通过采纳W．Blevin和B．Steiner提出的关于作为国际单位制七个基本物理量单位之一的光度基本单位的新定义，并建议有条件的国家实验室都来对新定义实现的基础--Km值（最大光谱光效率）进行实验确定，并预定在1977年9月下一次CCPR会议上对光度单位新定义所采用的Km值进行国际推荐。李同保清楚地知道，虽然我国早在1964年就已加入国际计量组织，但都是在按国际上早已做出规定的方法进行复现，在基准定义上从来还没有我们国家的发言机会。时刻关注主要发达国家这一领域研究进展的李同保敏锐地察觉到，只要我们精心设计实验方案努力工作，完全有可能按时完成Km值测定工作。于是他立刻撰写报告，建议国家计量主管部门组织我国有关单位通力协作，共同完成好这项有重要科学意义的工作。Km值的实验确定涉及到多个参数的精密测量和误差评估，任何一个环节的失误都会导至整个工作的失败，它不仅要求所有的仪器设备都处于最佳的工作状态，实验方案的周密精巧设计，还要求有大量的实验数据积累以验证最终结果的可靠性。这时对我国光辐射计量研究的紧张气氛笼罩在工区的上空。时正值地震，按照抗震部门的指示，晚上都露宿在抗震棚里。为了能如期完成任务，不中断实验数据的积累，他们白天不顾地震危险仍然坚持到山洞实验室作实验。
　　1977年8月15日，李同保清晰记得这个日子，这是向国际光辐射咨询委员会寄去中国研究报告"最大光谱光效率（Km值）的实验确定"（英文稿）的日子，同时中文稿在我国的《科学通报》1977年第8期上发表。他对这份凝聚着许多科学家汗水和心血的成果充满着希望与期待，但也有几分忧虑和担心。那时毕竟还处于封闭的年代，没有机会和计量强国的科学家直接交流，如果提交的研究报告不被CCPR认可，或者提交的Km值与国际平均值离散太大，这就不仅是科研水平问题，还有可能上升到"政治"问题。天道酬勤，在半个月后，我国收到了国际计量组织邀请参加于1977年9月举行的国际光辐射咨询委员会会议的电传函件。虽然由于当时的条件我国未能出席此次会议，但我们的数据非常接近同期9个国家标准实验室提出Km值的平均值。整个工作受到国际计量局和CCPR的重视和赞扬。这是我国第一次在国际基本单位定义改变时有了发言权。这也是李同保在这个领域里业务水平的飞跃，第一次有了特殊的成就感。此次研究的试验装置和技术为我国新光度基准的建立奠定了基础。此后，他获得了许多与国际国内同行交流和合作的机会，思想的交流一次次碰撞出智慧的火花。他努力去领悟，不懈地思考，借鉴其他领域与学科的新知识、新方法，去探索本领域的国际前沿问题。
　　1979年，美中两国开始高级访问学者交流。李同保由于在光辐射计量领域的出色工作，有机会作为美中首批参加交流的10位中国科学家之一。在1980年应邀到美国国家标准局（NBS），即现在的国家标准与技术研究院（NIST）从事辐射度物理学研究。当时，在硅半导体光电器件性能极大提高，激光调谐、稳频、倍频以及稳功率技术已相当发展的情况下，美国NBS的J．Geist等3位科学家首先提出基于硅光电器件内量子效率的准确确定，来实现光辐射功率的绝对测量。李同保十分珍惜与这3位科学家的合作机会，这是在世界上顶级的计量科研机构从事的最前沿的研究工作。在可见光区量子效率确定技术已经成熟的情况下，李同保把目光瞄准技术上更为困难、而对应用更为重要的紫外区域。测量硅在紫外区的量子产额是将量子辐射度学从可见区扩展到测量精度急待提高的紫外区的重要基础，他利用氩离子激光和氪离子激光及倍频技术，以0．5～1％的精度测量了硅在紫外区的量子产额。比国际上通常用的Christenson的测量数据精度约提高5倍。另外还为美国航天局Langley研究中心飞行器用空腔辐射计实测了各种不同腔型的重要参数空腔发射率。李同保也以自身的品德魅力和对科学不懈探索的精神，赢得了美国同行的尊重，并获优秀客座研究人员奖；在以后的用硅光二极管自校准技术实现400-900nm光谱辐射绝对测量的研究中，首先对零偏压下动态电阻进行了深入的研究。结合外部特征参数的精密测试，对器件的预选择提出了有效判据，这在当时都处于国际领先水平。
　　李同保长期从事光辐射测量技术与标准研究，研制了多项光度与辐射测量仪器，满足了当时我国国防与科研的急需。他负责研制的高照度标准获1978年全国科学大会奖，光度基准和光通量副基准项目获1985年度国家科技进步一等奖，用硅光电二极管自检技术实现400-900nm光谱辐射绝对测量项目获1989年度国家科技进步一等奖。他的30多篇研究论文受到国际光辐射计量界的重视并有较大的影响。李同保于1994年5月遴选为中国工程院首批院士。目前从事光辐射测量及声光技术研究。