郝跃
[中国科学院院士]
郝跃为[中国科学院院士]
科研概述
长期从事新型宽禁带半导体材料和器件、微纳米半导体器件与高可靠集成电路等方面的科学研究与人才培养，是国家重大基础研究(973)计划项目首席科学家、国家有突出贡献的中青年专家和微电子技术领域的著名专家。他在氮化镓∕碳化硅第三代(宽禁带)半导体功能材料和微波器件、半导体照明短波长光电材料与器件研究和推广、微纳米CMOS器件可靠性与失效机理研究等方面取得了系统的创新成果。
研究方向
郝跃教授主要从事理论和基础性研究，研究方向为集成电路可靠性设计与统计最优化理论和方法，IC制造动力学理论和方法的研究，以及可靠设计技术和方法学研究。在该领域研究中，取得了创造性成果，提出了利用分形描述硅片缺陷的空间分布和粒径分布的理论，实现了集成电路功能成品率表征与最优化设计系统。在该方向他先后承担国家科技攻关、军事电子预研、863高科技项目和各类基金项目七项。先后在国内外重要学术刊物和会议上发表论文80余篇，出版专(合)著五部，获得国家科技进步奖1项，省部级科技进步奖4项。近几年，他先后被评为电子工业部有突出贡献专家、全国电子工业系统先进工作者、陕西省“十大杰出科技青年”和“新长征突击手”，入选国家教委“跨世纪优秀人才”计划。
主要研究领域包括宽禁带半导体技术，深亚微米及超深亚微米器件物理，集成电路可制造性和可靠性理论与方法等。先后主持了多项国家科技攻关、863高科技项目、973计划项目、国家自然科学基金等项目，取得了突出成就。研究成果获国家八五重大科技成果奖一项，国家技术发明二等奖一项，国家科技进步二、三等奖各一项；电子工业部科技进步一等奖一项；省部级科技进步一等奖一项，二等奖三项，三等奖四项；光华科技二等奖一项。并获得了2010年度“何梁何利基金科学与技术进步奖”，于2005年和2011年两次当选“科学中国人”年度人物。在国内外著名刊物和重要国际会议上发表论文200余篇，其中SCI 180余篇，被他引600余次（截止2013年5月），专著3本，国家发明专利7项。
科研成果
主持的科研成果获得国家发明奖二等奖一项，国家科技进步二、三等奖各一项；省部级科技成果一、二等奖十余项；获得国家发明专利授权二十余项。
论著
出版了“氮化物宽禁带半导体材料与电子器件”、“微纳米MOS器件可靠性与失效机理”、“碳化硅宽带隙半导体技术”、“集成电路制造动力学理论与方法”等多本著作，在国内外著名期刊上发表学术论文300余篇，有200余篇被SCI收录。
来源：九三学社中央宣传部