常超

常超为

　　常超，1983年4月出生于山西省太原市。国防科技创新特区太赫兹生物学主题首席科学家、太赫兹主题专家。获2017IEEENPSSEarlyAchievementAward，美国电气电子工程师协会授予，年度全球唯一获奖人、迄今为止唯一中国学者。获2016年度部级科技进步一等奖(排名第1)。国家优秀青年基金获得者。IEEE国际会议APCOPTS、ICOPS的大会主席和程序委员会主席(TPC)，第18届全国等离子体大会组委会主席。IEEENPSS西安分会主席、IEEE高级会员。IEEETrans.PlasmaSci.客座。空间微波技术国家级重点实验室学术委员会委员、中国兵工学会太赫兹应用技术专委会委员。
　　2006年毕业于清华大学，2011年获得清华大学博士学位，2013年于美国斯坦福大学完成博士后工作。现任军科院国防科技创新研究院前沿交叉中心副主任兼太赫兹研究室主任、研究员，天津大学兼职教授、博士生导师，曾任西北核技术研究所研究员、西安交通大学青年拔尖人才特聘教授。长期从事高功率微波等离子体、太赫兹生物学研究，以第一作者和通讯作者发表SCI论文44篇，其中2篇PRL、7篇APL。以第一/二发明人授权国家发明专利20项。于《科学出版社》著《高功率微波系统中的击穿物理》。
　　相关成果:周期性表面和谐振磁场抑制电子倍增、提 PM窗击穿阈值的方法和技术
　　高功率微波(HPM)在科研、民用和国防领域具有非常广阔的应用前景。HPM源须工作在真空状态，输出窗用于隔离内部真空和外界大气并辐射微波。HPM产生几十亿瓦峰值功率的微波传输至输出窗时，微波强场在窗真空侧触发电子倍增和等离子体雪崩，微波被吸收和反射、传输终止，窗材料击穿破坏。HPM输出窗击穿限制了HPM系统的最大辐射功率，已成为HPM技术进步的瓶颈和国际性挑战。
　　常超在国际上建立了HPM输出窗二次电子倍增、气体脱附层中等离子体雪崩理论模型，提出了周期性表面和谐振磁场两种抑制电子倍增、提 PM窗击穿阈值的新原理和新方法。发明的超高功率容量窗，在几十亿瓦功率HPM实验中，证实可显著提高功率容量达4倍，突破了HPM系统功率容量瓶颈。研究成果获得IEEENPSSEarlyAchievementAward等荣誉。